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FMUSER原装MRF173CQ 28V 50mA 150MHz 80W RF功率晶体管功率MOSFET晶体管N沟道
FMUSER原始MRF173CQ 28V 50mA 150MHz 80W射频功率晶体管功率MOSFET晶体管N通道特性：●部件号MRF173CQ●说明FET RF 65V 150MHZ 316-01●详细说明RF Mosfet N通道28V 50mA 150MHz 13dB 80W 316-01，样式2 ●数据表MRF173CQ●环境信息RoHS认证●HTML数据表MRF173CQ描述：●包装：托盘●部件状态：有效●晶体管类型：N通道●频率：150MHz●增益：13dB●电压-测试：28V●额定电流（安培） ：9A●噪声系数：1.5dB●电流-测试：50mA●功率-输出：80W●伏特
Detail
| 价格（USD） | 数量（PCS） | 航运（USD） | 总计（美元） | 邮寄方式 | 付款 |
| 79 | 1 | 0 | 79 | 航空运输 |
FMUSER原装MRF173CQ 28V 50mA 150MHz 80W RF功率晶体管功率MOSFET晶体管N沟道
特色：
● 型号 MRF173CQ
● 课程描述 场效应管RF 65V 150MHZ 316-01● 详细说明 RF Mosfet N通道28V 50mA 150MHz 13dB 80W 316-01，类型2
● 参数规格表 MRF173CQ
● 环境信息 RoHS证书
● HTML数据表 MRF173CQ
● 包装 ：纸盘
● 零件状态： 现有的
● 晶体管类型： N沟道
● 频率： 150MHz
● 增益： 13dB
● 电压 - 测试：28V
● 额定电流（安培）：9A
● 噪声系数：1.5dB
● 电流 - 测试：50mA
● 功率 - 输出：80W
● 电压 - 额定值：65V
应用：
专为高达200 MHz频率范围的宽带商业和军事应用而设计。 该器件的高功率，高增益和宽带性能使其成为用于FM广播或TV频道频段的固态发射机，N信道增强模式MOSFET
参数：
N通道增强模式MOSFET
●保证在150 MHz，28 V下的性能：
输出功率= 80瓦
增益= 11 dB（典型值为13 dB）
效率= 55％（最小值） （典型值60％）
●低热阻
●在额定输出功率下进行了坚固性测试
●氮化钝化增强
●ed可靠性
●低噪声系数—典型值为1.5 dB。 在2.0 A，150 MHz下
●优良的热稳定性； 适用于A级操作
| 价格（USD） | 数量（PCS） | 航运（USD） | 总计（美元） | 邮寄方式 | 付款 |
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