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MRFX1K80H：1800-1.8 MHz上的400 W CW，65 V宽带RF功率LDMOS晶体管
MRFX1K80H：1800-1.8 MHz上的400 W CW，65 V宽带RF功率LDMOS晶体管描述MRFX1K80H是第一款基于新型65 V LDMOS技术的器件，其重点是易用性。 这种高强度晶体管专为高VSWR工业，科学和医疗应用以及无线电和VHF电视广播，低于GHz的航空航天和移动无线电应用而设计。 其无与伦比的输入和输出设计允许在1.8至400 MHz的宽频率范围内使用.MRFX1K80H与MRFX1K80N塑料版本，MRFE6VP61K25H和MRFE6VP61K25N（1250 W @ 50 V），MRF1K50H和MRF1K50H引脚兼容MRF1500K50N（XNUMX W @ XNUMX V）。 特征
Detail
| 价格（USD） | 数量（PCS） | 航运（USD） | 总计（美元） | 邮寄方式 | 付款 |
| 245 | 1 | 0 | 245 | DHL |
MRFX1K80H：1800-1.8 MHz上的400 W CW，65 V宽带RF功率LDMOS晶体管
产品描述
MRFX1K80H是第一款基于新型65 V LDMOS技术的器件， 注重易用性。 这种高耐用性晶体管设计用于 VSWR工业，科学和医学应用以及广播和VHF电视 广播，低于GHz的航空航天和移动无线电应用。 其无与伦比的输入和 输出设计允许在1.8至400 MHz的宽频率范围内使用。MRFX1K80H与塑料版本MRFX1K80N引脚兼容（相同的PCB），并带有 MRFE6VP61K25H和MRFE6VP61K25N（1250V时为50 W），以及MRF1K50H和MRF1K50N（1500 W @ 50 V）。
●基于新的65 V LDMOS技术，易于使用
●在扩展的功率范围内具有30至65 V的特性
●无与伦比的输入和输出
●高击穿电压可增强可靠性和提高效率
●高漏源雪崩能量吸收能力
●坚固耐用。 处理65：1 VSWR。
●符合RoHS标准
●包覆成型塑料封装中的较低热阻选项：MRFX1K80N
应用领域
●工业，科学，医学（ISM）●激光世代
●等离子产生
●颗粒促进剂
●MRI，射频消融和皮肤治疗
●工业加热，焊接和干燥系统
●广播和甚高频电视广播
●航空航天
●HF通讯
●雷达
套餐包括：
1xMRFX1K80H 射频功率LDMOS晶体管
| 价格（USD） | 数量（PCS） | 航运（USD） | 总计（美元） | 邮寄方式 | 付款 |
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