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FMUSER原装全新MGF2430A射频功率晶体管功率MOSFET晶体管

FMUSER全新MGF2430A射频功率晶体管功率MOSFET晶体管描述MGF2430A,具有N沟道肖特基栅极的GaAs FET,设计用于L至Ku频段放大器。 特点●高输出功率P1dB = 30.5dBm(TYP)@ f = 14.5GHz●高线性增益GLP=6.5dB(TYP.)@f=14.5GHz●高功率附加效率P.AE=27%(TYP.)@f=14.5 GHz,P1dB●密封金属封装应用●适用于L至Ku频段功率放大器质量●IGOUTLINE图纸推荐的偏置条件●Vds = 10V Ids = 300mA Rg = 500●绝对最大额定值●VGDO栅极至源极电压●VGSO栅极至源极电压●IDSS萨图

Detail

价格(USD) 数量(PCS) 航运(USD) 总计(美元) 邮寄方式 付款
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FMUSER原装全新MGF2430A射频功率晶体管功率MOSFET 晶体管





商品描述

具有N沟道肖特基栅极的GaAs FET MGF2430A专为L至Ku频段放大器而设计。


特点

高输出功率P1dB = 30.5dBm(TYP)@ f = 14.5GHz

高线性增益GLP = 6.5dB(TYP。)@ f = 14.5GHz

高功率附加效率P.AE = 27%(TYP。)@ f = 14.5GHz,P1dB

密封金属包装

适用于L至Ku波段功率放大器

IGOUTLINE绘图





推荐的偏置条件

Vds = 10V Ids = 300mA  Rg = 500
绝对最大额定值
VGDO栅极至源极电压
VGSO栅极至源极电压
IDSS饱和漏极电流
IGR反向栅极电流
IGF正向栅极电流
PT * 1总功耗
Tch通道温度

Tstg储存温度* 1:Tc = 25°C(Ta = 25°C) 

套餐包括:
1个MGF2430A射频功率晶体管


 

 

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