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MRFE6VP5300N射频功率MOSFET晶体管
MRFE6VP5300N射频功率MOSFET晶体管描述MRFE6VP5300NR1和MRFE6VP5300GNR1这些高耐用性器件设计用于高VSWR工业（包括激光和等离子体激励器），广播（模拟和数字），航空航天和无线电/陆地移动应用。 它们是无与伦比的输入和输出设计，可实现1.8至600 MHz的宽频率范围利用率。 特性●宽工作频率范围●极端坚固性●无与伦比的输入和输出，允许宽频率范围使用●集成的稳定性增强功能●低热阻●集成的ESD保护电路●符合RoHS要求●卷带包装。 R1后缀= 500单位，44毫米胶带宽度，13英寸卷盘。 关键参数
Detail
| 价格（USD） | 数量（PCS） | 航运（USD） | 总计（美元） | 邮寄方式 | 付款 |
| 135 | 1 | 0 | 135 | DHL |
MRFE6VP5300N 射频功率MOSFET晶体管
产品描述
这些高耐用性设备MRFE6VP5300NR1和MRFE6VP5300GNR1设计用于高VSWR工业（包括激光和等离子体激励器），广播（模拟和数字），航空航天和无线电/陆地移动应用。 它们是无与伦比的输入和输出设计，可实现1.8至600 MHz的宽频率范围利用率。特征
●宽工作频率范围
●极端坚固
●无与伦比的输入和输出，可实现宽频率范围的利用
●综合稳定性增强
●低热阻
●集成式ESD保护电路
●符合RoHS
●在磁带和卷轴。 R1后缀= 500单位，44毫米带宽，13英寸卷轴。
关键参数
●频率（最小值）1.8（MHz）
●频率（最大）600（MHz）
●电源电压（Typ）50（V）
●P1dB（典型值）54.8（dBm）
●P1dB（典型值）300（W）
●输出功率（典型值）（W）@测试信号300.0 @ CW时的互调电平
●测试信号连续
●功率增益（典型值）25.0 @ 230（dB）@ f（MHz）
●效率（典型值）70（％）
●热阻（规格）0.22（℃/ W）
套餐包括：
1x MRFE6VP5300N RF晶体管
| 价格（USD） | 数量（PCS） | 航运（USD） | 总计（美元） | 邮寄方式 | 付款 |
| 135 | 1 | 0 | 135 | DHL |
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