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FMUSER原装全新D1029UK射频功率晶体管功率MOSFET晶体管双N沟道MOSFET,35 A,70 V,5引脚DR D1029UK

FMUSER全新D1029UK射频功率晶体管功率MOSFET双N沟道MOSFET,35 A,70 V,5引脚DR D1029UK具有简化的放大器设计,适用于宽带应用低rss简单偏置电路低噪声高增益13 db最低规格属性/值通道类型:N最大连续漏极电流:35 A最大漏极源电压:70 V封装类型:DR安装类型:面板安装引脚数:5通道模式:增强最大栅极阈值电压:7V最大功耗:438 W晶体管配置:共源极最大栅极源极电压:-20 V,+ 20 V每个芯片的元件数:2最高工作温度:+200°C Transi

Detail

价格(USD) 数量(PCS) 航运(USD) 总计(美元) 邮寄方式 付款
149 1 0 149 DHL

 



FMUSER原装全新D1029UK射频功率晶体管功率MOSFET晶体管双N沟道MOSFET,35 A,70 V,5引脚DR D1029UK





特征

简化的放大器设计
适用于宽带应用
低价
简单的偏置电路
低噪声
高增益13分贝(最小值)



技术规格

属性/值
频道类型:N
最大持续漏极电流:35 A
最大漏极电源电压:70 V
包装类型:DR
安装类型:面板安装
针数:5
频道模式:增强
最大门限电压:7V
最大功耗:438 W
晶体管配置:共源
栅极最大源电压:-20 V,+20 V
每个芯片的元素数:2
最高工作温度:+200°C
晶体管材料:硅
身高:5.08mm
宽度:10.16mm
系列:TetraFET
长度:34.03mm

 

套餐包括:
1个MRF1K50H射频功率晶体管



 

 

价格(USD) 数量(PCS) 航运(USD) 总计(美元) 邮寄方式 付款
149 1 0 149 DHL

 

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