FMUSER全新原装MRF6VP11KH射频功率晶体管功率MOSFET晶体管-射频晶体管-FMUSER FM / TV广播一站式供应商

FMUSER全新原装MRF6VP11KH射频功率晶体管功率MOSFET晶体管FMUSER MRF6VP11KHR6主要设计用于频率高达150 MHz的脉冲宽带应用。该设备无与伦比，适用于工业，医疗和科学应用。在130 MHz时具有典型的脉冲性能：VDD = 50伏，IDQ = 150 mA，Pout = 1000瓦峰值（平均200 W），脉冲宽度= 100 µsec，占空比= 20％功率增益：26 dB漏极效率：71能够处理10：1 VSWR，@ 50 Vdc，130 MHz，1000瓦的峰值功率，具有等效的串联等效大信号阻抗参数，具有足够的冷却能力，具有CW的操作能力，合格的冷却能力最大为50 VDD，集成了ESD保护

Detail

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FMUSER原装全新MRF6VP11KH射频功率晶体管功率MOSFET晶体管

FMUSER MRF6VP11KHR6主要设计用于频率高达150 MHz的脉冲宽带应用。该设备无与伦比，适用于工业，医疗和科学应用。

特征

130 MHz时的典型脉冲性能：VDD = 50伏，IDQ = 150 mA，Pout = 1000瓦峰值（平均200 W），脉冲宽度= 100 µsec，占空比= 20％
功率增益：26 dB
漏极效率：71％
能够处理10：1 VSWR，@ 50 Vdc，130 MHz，1000瓦特峰值功率
用串联等效大信号阻抗参数表征
具有充分冷却的CW操作能力
合格最多50 VDD操作
集成ESD保护
专为推拉操作而设计
用于改进C类操作的更大的负栅极电压范围
符合RoHS
在卷带中。 R6后缀=每150毫米56英寸卷轴13个单位

规格

晶体管类型：LDMOS
技术：硅
应用行业：ISM，广播
应用：科学，医学
顺时针/脉冲：顺时针
频率：1.8至150 MHz
功率：53.01 dBm
功率（瓦）：199.99 W
P1dB的：60.57dBm
峰值输出功率：1000 W
脉冲宽度：100 us
占空比：0.2
功率增益（Gp）：24至26 dB
输入回波：损失：-16至-9 dB
驻波比：10.00：1
极性：N通道
电源电压：50 V
阈值电压：1至3 Vdc
击穿电压-漏源：110 V
电压-栅源：（Vgs）：-6至10 Vdc
排水效率：0.71
漏极电流：150 mA
阻抗Zs：50欧姆
热阻：0.03°C / W
包装：类型：法兰
包装：CASE375D--05样式1 NI--1230--4
符合RoHS：是
工作温度：150摄氏度
储存温度：-65至150摄氏度