FMUSER全新MRF6V2150NB贴片射频功率晶体管管高频管功率放大模块功率MOSFET晶体管-RF晶体管-FMUSER FM / TV广播一站式供应商

FMUSER全新MRF6V2150NB SMD射频功率晶体管管高频管功率放大模块功率MOSFET晶体管FMUSER全新MRF6V2150NB射频功率晶体管管功率MOSFET管主要设计用于频率高达450 MHz的宽带大信号输出和驱动器应用。器件无与伦比，适合在工业，医疗和科研应用中使用产品详细信息：零件编号：MRF6V2150NB说明：横向N通道单端宽带射频功率MOSFET，10-450 MHz，150 W，50 V特性：典型的CW性能在220 MHz时：VDD = 50伏，IDQ = 450 mA，Pout = 150瓦功率

Detail

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价格（USD）	数量（PCS）	航运（USD）	总计（美元）	邮寄方式	付款
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FMUSER原装全新MRF6V2150NB SMD RF P下晶体管管高频管功率放大模块功率MOSFET晶体管

FMUSER原装全新MRF6V2150NB 射频功率晶体管功率MOSFET晶体管d主要为宽带大信号输出和驱动器应用而设计频率高达450 MHz。设备无与伦比，适用于用于工业，医学和科学应用

产品详细信息：

P货号：MRF6V2150NB

描述：横向N通道单端宽带RF功率MOSFET，10-450 MHz，150 W，50 V

特色：

220 MHz时的典型CW性能：VDD = 50伏，IDQ = 450 mA，Pout = 150瓦
功率增益：25.5 dB
排污效率：69％
能够处理10：1 VSWR，@ 50 Vdc，210 MHz，150瓦输出功率
集成ESD保护
优良的热稳定性
促进手动增益控制，ALC和调制技术
225°C的塑料封装
符合RoHS

通用参数：

晶体管类型：LDMOS

技术：硅

应用行业：ISM，广播

应用：科学，医学

顺时针/脉冲：顺时针

频率：10至450 MHz

功率：51.76 dBm

功率（瓦）：149.97 W

连续功率：150 W

功率增益（Gp）：23.5至26.5 dB

输入回波损耗：-17至-3 dB

驻波比：10.00：1

极性：N通道

电源电压：50 V

阈值电压：1至3 Vdc

击穿电压-漏源：110 V

电压-栅极-源极（Vgs）：-0.5至12 Vdc

排水效率：0.683

漏极电流：450 mA

阻抗Zs：50欧姆

热阻：0.24°C / W

包装类型：法兰

包装：案例1484--04，样式1至--272 WB--4塑料

符合RoHS：是

工作温度：150摄氏度

储存温度：-65至150度

包裹包括：
1xMRF6V2150NB 射频功率晶体管

价格（USD）	数量（PCS）	航运（USD）	总计（美元）	邮寄方式	付款
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