典型的高精度运算放大器（运放）可能不得不1MHz增益带宽积。在理论上，用户可能期望GHz的RF信号衰减水平到很低的水平，因为它们已经远远超出放大器的带宽。然而，现实情况并非如此。事实上，它包括在所述放大器的静电放电（ESD）二极管，输入结构，并在放大器到RF信号的输入其他非线性元件“整流”。在实际意义上，RF信号被转换成直流（DC）偏置电压，所述DC偏移的放大器的输入偏置电压加入电压。

用户可能会问：“对于由直流产生一个给定的RF信号的偏移电压，如何确定它的大小？” 事实上，放大器到RF干扰的灵敏度取决于放大器是否用在设计和技术。例如，许多现代放大器具有内置的RF滤波器，可以减少这种问题的可能性。该过滤器为低增益带宽的运算放大器是最有效的，因为滤波器的截止频率可以设置为一个较低的频率，从而可以提供更高的RF信号的衰减系数。此外，多项技术产品具有更强的内部RF免疫力。例如，相对于双极型器件，大部分互补金属氧化物半导体（CMOS）器件的具有更强的抗RF干扰。输入级设计等其他因素也可能影响RF免疫力。

考虑到所有这些因素，董事会和系统级设计如何选择放大器应该回答是：？取决于电磁干扰抑制比（EMIRR）。的技术指标是相似的PSRR和CMRR，由于在放大器的输入端的影响它转换的RF干扰的DC偏移电压。作为一个例子，图1显示EMIRR曲线OPA333。可以注意到，从曲线图中，当频率1000MHz当运算放大器具有EMIRR的120dB。这是抑制的非常高的水平，以便直接曲线的曲线进行比较与其它设备成为可能。

当使用OPA333 EMIRR IN +和频率相比，示例

EMIRR曲线示出了运算放大器对RF信号进行（该信号被施加到非反相输入）干扰测量值的能力。术语“传导”是指RF信号被直接施加到利用运算放大器输入的阻抗匹配类型的印刷电路板（PCB）的。此外，反射放大器的输入进行表征和描述。

最后，用数字万用表测量由DC产生的RF信号的偏移电压。请注意，放大器和使用低通滤波器，以防止由于残留的RF信号的潜在错误的万用表之间穿过而引起的放大器。图2示出了用于表征EMIRR测试电路。

方程（1）和（2）给出数学定义EMIRR。两个方程相互复位版本。方程（1）示出了与RF信号之间的偏移电压变化的关系。注意，造成所用的RF信号的平方的偏移电压的变化。这意味着增加了输入RF信号的幅度是小的，可能导致在偏置电压的显著增加。还请注意，术语的作用是减少EMIRR RF信号的影响; 换句话说，较大EMIRR（分贝）可以显著降低偏移电压。方程（2）被用来计算在该方法的特征方程式的形式EMIRR（分贝）。

其中

EMIRR（分贝） - 电磁干扰测量是从（单位为dB）的RF信号抑制比进行被施加到放大器的非反相输入

| △沃斯| - 被偏移电压的确定的变化（由RF干扰引起）

VRF_PEAK - 被施加到放大器的峰值RF干扰非反相输入

最后，请注意，许多其他因素，如PCB布局和屏蔽，也可能影响RF抑制用户的系统。然而，一旦以优化这些因素的设计的用户，使用该放大器能够以良好EMIRR最佳性能来实现的。另外，用户不需要进行任何复杂的计算。只有EMIRR曲线

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