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FMUSER原装全新MRF6VP2600H射频功率晶体管MOSFET晶体管500MHz 600W横向N沟道宽带

FMUSER全新的MRF6VP2600H射频功率晶体管MOSFET晶体管500MHz 600W横向N通道宽带概述MRF6VP2600H主要设计用于频率高达500 MHz的宽带应用。 设备无与伦比,适合在广播应用中使用。 特性*典型的DVB-T OFDM性能:VDD = 50伏,IDQ = 2600 mA,Pout =平均125瓦,f = 225 MHz,通道带宽= 7.61 MHz,输入信号PAR = 9.3 dB,CCDF概率为0.01%。功率增益:25 dB漏极效率:28.5%ACPR @ 4 MHz偏移:–61 dBc @ 4 kHz带宽*典型脉冲性能:VDD = 50伏,IDQ = 2600 mA,Pout = 600瓦峰值,f = 225 MHz,脉冲宽度= 100

Detail

价格(USD) 数量(PCS) 航运(USD) 总计(美元) 邮寄方式 付款
245 1 35 280 DHL

 


FMUSER原装全新MRF6VP2600H 射频功率晶体管 MOSFET晶体管500MHz 600W横向N通道宽带

概述

MRF6VP2600H主要用于频率高达500 MHz的宽带应用。 设备无与伦比,适用于广播应用。



特征

典型的DVB-T OFDM性能:VDD = 50伏,IDQ = 2600 mA,Pout =平均125瓦,f = 225 MHz,通道带宽= 7.61 MHz,输入信号PAR = 9.3 dB @ CCDF概率为0.01%。 :25 dB漏极效率:28.5%ACPR @ 4 MHz偏移:–61 dBc @ 4 kHz带宽

典型脉冲性能:VDD = 50伏,IDQ = 2600 mA,Pout = 600瓦峰值,f = 225 MHz,脉冲宽度= 100 µsec,占空比= 20%功率增益:25.3 dB漏极效率:59%

能够处理10:1 VSWR,@ 50 Vdc,225 MHz,600瓦特峰值功率,脉冲宽度=100μsec,占空比= 20%

用系列等效大信号阻抗参数表征

具有充分冷却的CW操作能力

合格,最多50个VDD操作

集成ESD保护

专为推拉操作而设计

用于改进C类操作的更大的负栅极电压范围

符合RoHS

在磁带和卷轴。 R6后缀=每150 mm 56单位,13英寸卷轴。



规格

频率(最小值)(MHz):2

频率(最大值)(MHz):500

电源电压(典型值)(V):50

P1dB(典型值)(dBm):57.8

P1dB(典型值)(W):600

输出功率(典型值)(W)@测试信号的互调电平:125.0 @ AVG

测试信号:OFDM

功率增益(典型值)(dB)@ f(MHz):25.0 @ 225

效率(典型值)(%):28.5

热阻(规格)(℃/ W):0.2

匹配:无与伦比

分类:AB

模具技术:LDMOS




 

 

价格(USD) 数量(PCS) 航运(USD) 总计(美元) 邮寄方式 付款
245 1 35 280 DHL

 

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