N 沟道 MOSFET 基础知识

N 沟道 MOSFET 是一种 MOSFET，其中 MOSFET 的沟道由作为载流子的大部分电子组成。 当 MOSFET 被激活并打开时，流动的大部分电流是通过通道移动的电子。

这与其他类型的 MOSFET 形成对比，后者是 P 沟道 MOSFET，其中大多数载流子是空穴。

之前，我们回顾了 N 沟道 MOSFET 的结构，我们必须回顾现有的 2 种类型。 有 2 种类型的 N 沟道 MOSFET，增强型 MOSFET 和耗尽型 MOSFET。

当栅极和源极端之间不存在电压差时，耗尽型 MOSFET 通常处于开启状态（最大电流从漏极流向源极）。 但是，如果在其栅极引线上施加电压，则漏源沟道变得更具电阻，直到栅极电压如此之高，晶体管才完全关闭。 增强型 MOSFET 则相反。 当栅源电压为0（VGS=0）时，它通常是关闭的。 但是，如果将电压施加到其栅极引线，则漏源沟道的电阻会降低。

在本文中，我们将介绍 N 通道增强型和耗尽型的构造和操作方式。

N 沟道 MOSFET 如何在内部构建

N沟道MOSFET由N沟道组成，N沟道是由大部分电子载流子组成的沟道。 栅极端子由 P 材料制成。 根据电压的数量和类型（负或正）确定晶体管的工作方式是打开还是关闭。

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N 沟道增强型 MOSFET 的工作原理

如何开启 N 沟道增强型 MOSFET

要开启 N 沟道增强型 MOSFET，请向晶体管的漏极施加足够的正电压 VDD，向晶体管的栅极施加足够的正电压。 这将允许电流流过漏源通道。

因此，在足够的正电压 VDD 和足够的正电压施加到栅极的情况下，N 沟道增强型 MOSFET 可以完全正常工作并处于“导通”操作状态。

如何关闭 N 沟道增强型 MOSFET

要关闭 N 沟道增强型 MOSFET，您可以采取 2 个步骤。 您可以切断为漏极供电的偏置正电压 VDD。 或者您可以关闭通往晶体管栅极的正电压。

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N 沟道耗尽型 MOSFET 的工作原理

如何开启 N 沟道耗尽型 MOSFET

要打开 N 沟道耗尽型 MOSFET，以允许从漏极到源极的最大电流，栅极电压应设置为 0V。 当栅极电压为 0V 时，晶体管传导最大量的电流并处于有源导通区域。 为了减少从漏极流向源极的电流量，我们将负电压施加到 MOSFET 的栅极。 随着负电压增加（变得更负），从漏极到源极的电流越来越少。 一旦栅极上的电压达到某个点，所有电流都停止从漏极流向源极。

因此，在足够的正电压 VDD 和无电压 (0V) 施加到基极的情况下，N 沟道 JFET 处于最大工作状态并具有最大电流。 当我们增加负电压时，电流会减少，直到电压很高（负），所有电流都会停止。

如何关闭 N 沟道耗尽型 MOSFET

要关闭 N 沟道耗尽型 MOSFET，您可以采取 2 个步骤。 您可以切断为漏极供电的偏置正电压 VDD。 或者您可以向栅极施加足够的负电压。 当向栅极施加足够的电压时，漏极电流停止。

MOSFET 晶体管用于开关和放大应用。 MOSFET 可能是当今最流行的晶体管。 它们的高输入阻抗使它们消耗的输入电流非常小，它们很容易制造，可以做得非常小，并且消耗的功率非常小。

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