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FMUSER原装全新SD2931-11射频功率晶体管高功率增益20V MOSFET晶体管

FMUSER全新原装SD2931-11射频功率晶体管大功率增益20V MOSFET晶体管说明:SD2931-11是金金属化N沟道MOS场效应射频功率晶体管。 与标准SD2931 MOSFET在电气上相同,它旨在用于高达50 MHz的230 V dc大信号应用。 SD2931-11与SD2931具有机械兼容性,但还具有更好的热性能(热阻降低25%),代表了ISM应用中的同类最佳晶体管,其中可靠性和坚固性是关键因素。 特点:*金金属化*优异的热稳定性*常见来源

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价格(USD) 数量(PCS) 航运(USD) 总计(美元) 邮寄方式 付款
108 1 35 143 DHL

 


FMUSER原装全新SD2931-11射频功率晶体管高功率增益20V MOSFET晶体管





描述:
SD2931-11是镀金的N通道 MOS场效应RF功率晶体管。 存在 电气上与标准SD2931相同 MOSFET,旨在用于50 V dc大 信号应用高达230 MHz。 SD2931-11与以下产品机械兼容 SD2931,但还提供更好的散热 能力(热阻降低25%), 代表ISM的最佳晶体管 具有可靠性和耐用性的应用 关键因素。



特色:
*金金属化
优良的热稳定性
通用源配置
POUT = 150 W分钟。 14 dB增益@ 175MHz
热增强包装,降低包装成本
结温
GFS和VGS排序在设备上标记



规格:

系列:SD2931  
产品类别:RF MOSFET晶体管 
晶体管极性:N沟道 
技术:硅 
Id-连续漏极电流:20 A 
Vds-漏源击穿电压:125 V 
增益:15分贝 
输出功率:150 W 
最低工作温度:-65 C 
最高工作温度:+ 200 C 
安装方式:螺丝固定 
包装:散装 
配置:单双源  
高度:7.11毫米(最大值)  
长度:24.89毫米(最大)  
工作频率:230 MHz  
宽度:12.83毫米(最大)  
频道模式:增强功能  
钯-功耗:389 W  
Vgs-栅源电压:20 V

 

 

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