FMUSER原装全新MRFE6VP5600H射频功率晶体管功率MOSFET晶体管，用于600w FM发射器-RF晶体管-FMUSER FM / TV广播一站式供应商

FMUSER全新原装MRFE6VP5600H射频功率晶体管功率MOSFET晶体管，用于600w FM发射器概述：MRFE6VP5600HR6和MRFE6VP5600HSR6这些高耐用性设备设计用于高VSWR工业（包括激光和等离子体激励器），广播（模拟和数字），航空航天和无线电/陆地移动应用。它们是无与伦比的输入和输出设计，可实现1.8至600 MHz的宽频率范围利用率。特点：*无与伦比的输入和输出允许宽频率范围的利用。 *该设备可以单端或推挽配置使用。 *合格，最多50个VDD操作。 *字符

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FMUSER原装全新MRFE6VP5600H射频功率晶体管600w FM发射器的功率MOSFET晶体管

概述：

这些高耐用性器件MRFE6VP5600HR6和MRFE6VP5600HSR6设计用于高VSWR工业（包括激光和等离子体激励器），广播（模拟和数字），航空航天和无线电/陆地移动应用。它们是无与伦比的输入和输出设计，可实现1.8至600 MHz的宽频率范围利用率。

特色：
*无与伦比的输入和输出允许宽频率范围的利用。
* 该设备可以单端或推挽配置使用。
* 符合Maximu资格50 VDD操作中的m。
* 具有30 V至50 V的特性，可扩展功率范围。
* 适用于带有适当偏置的线性应用。
* 具有更大负栅源电压范围的集成式ESD保护，可改善C类操作。
* 用串联等效大信号阻抗参数表征。
* 符合RoHS。
* 在磁带和卷轴。 R6后缀= 150单位，56 mm磁带宽度，13英寸卷轴。
* 这些产品包含在我们的产品长寿计划中，保证在发布后至少15的时间内供货。

关键参数：

频率（最小值）（MHz）	1.8
频率（最大）（MHz）	600
供电电压（典型值）（V）	50
P1dB（典型值）（dBm）	57.8
P1dB（典型值）（W）	600
输出功率（典型值）（W）@测试信号的互调电平	600.0 @连续波
测试信号	1色调
功率增益（Typ）（dB）@ f（MHz）	24.6 230 @
效率（典型值）（％）	75.2
热阻（规格）（℃/ W）	0.12
增益级	AB
匹配	无与伦比
模具技术	LDMOS

射频性能表：
230 MHz窄带
典型性能：VDD = 50 V，IDQ = 100 mA

信号类型	Pout（W）	f（兆赫）	Gps（分贝）	ηD（％）	IRL（dB）
脉冲（100 µsec，20％占空比）	600峰值	230	25.0	74.6	-18
CW	600平均	230	24.6	75.2	-17