FMUSER原始MRF151 To-59高频管150 W，50 V，175 MHz N通道宽带MOSFET RF功率场效应晶体管-RF晶体管-FMUSER FM / TV广播一站式供应商

FMUSER原始MRF151 To-59高频管150 W，50 V，175 MHz N通道宽带MOSFET RF功率场效应晶体管概述MRF系列器件是高性能1MHz至3.5GHz双极RF晶体管。这些Tech双极晶体管非常适合航空电子，通信，雷达以及工业，科学和医学应用。 MRF系列设备是广泛的RF功率晶体管的一部分，该功率晶体管还包括托盘放大器，TMOS和DMOS晶体管以及LDMOS晶体管。功能●在30 MHz，50 V时保证的性能：●输出功率— 150 W●增益— 18 dB（典型值为22 dB）●效率— 40％●在175 MHz，50 V时的典型性能：●Ou

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FMUSER原装MRF151 To-59高频管

150 W，50 V，175 MHz N通道宽带MOSFET RF功率场效应晶体管

概述

MRF系列器件是高性能1MHz至3.5GHz双极RF晶体管。这些Tech双极晶体管非常适合航空电子，通信，雷达以及工业，科学和医学应用。 MRF系列器件是广泛的RF功率晶体管的一部分，该功率晶体管还包括托盘放大器，TMOS和DMOS晶体管以及LDMOS晶体管。

特征

●30 MHz，50 V时的保证性能：
● 输出功率 - 150W¯¯
● 增益 - 18分贝（dB的22典型值）
● 效率 - 40％
● 175 MHz，50 V时的典型性能：
● 输出功率 - 150W¯¯
● 增益 - 13分贝

● 低热阻
● 在额定输出功率下进行的坚固性测试
● 氮化物钝化模，增强了可靠性

产品描述

RF MOSFET晶体管5-175MHz 150Watts 50Volt增益18dB。设计用于频率为175 MHz的宽带商业和军事应用。该设备的高功率，高增益和宽带性能使其成为用于FM广播或TV频道频段的固态发射机成为可能。

规格

● 产品分类：射频MOSFET晶体管
● 晶体管极性： N沟道
● Id-连续漏极电流： 16A
● Vds-漏源击穿电压： 125 V
● 增益： 13分贝
● 输出功率： 150W 瓦
● 最低工作温度： -65摄氏度
● 最高工作温度： + 150 C.
● 安装方式：贴片/贴片
● 包装/箱： 221-11-3
● 包装：托盘
● 配置：集成的
● 工作频率： 175 MHz
● Pd-功耗： 300W 瓦
● 产品类型：射频MOSFET晶体管
● 工厂包装数量： 20
● 子类别： MOSFET的
● Vgs-栅极-源极电压： 40 V
● Vgs th-栅源阈值电压： 3 V