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FMUSER原始SD2941-10 HF / VHF / UHF MOSFET N沟道MOS场效应宽带射频功率场效应晶体管

FMUSER原始SD2941-10 HF / VHF / UHF MOSFET N沟道MOS场效应宽带射频功率场效应晶体管说明SD2941-10是金金属化N沟道MOS场效应射频功率晶体管,旨在用于高达28 MHz的50 V至230 V dc直流大信号应用。 它的RDS(on)比行业标准低25%,而PSAT比ST的SD20-2931器件高10%。 SD2941-10采用低热M174非底座封装,比行业标准提供25%的低热阻,因此使其成为ISM应用的“最佳”晶体管,其中可靠性和坚固性是关键因素。 规范

Detail

价格(USD) 数量(PCS) 航运(USD) 总计(美元) 邮寄方式 付款
79 1 0 79 航空信

 


FMUSER原稿 SD2941-10 HF / VHF / UHF MOSFET N沟道 MOS场效应 宽带 射频功率场效应 晶体管

产品描述
SD2941-10是金金属化N通道 MOS场效应RF功率晶体管,用于 在28 V至50 V直流大信号应用中使用 至230 MHz 与RDS(on)相比,它的RDS(on)低25% 行业标准,PSAT比20%高 ST的SD2931-10器件。 SD2941-10是 置于低热量的M174非底座中 封装,热阻降低25% 超过行业标准,因此使其成为 适用于ISM应用的“同类最佳”晶体管, 可靠性和坚固性至关重要的地方 因子。


技术规格

 产品类别:RF MOSFET晶体管
 晶体管极性:N沟道
 Id-连续漏极电流:20 A
 Vds-漏源击穿电压:130 V
 增益:15.8 dB
 输出功率:175 W
 最低工作温度:-65 C
 最高工作温度:+ 150 C
 安装方式:SMD / SMT
 包装/箱:M174
 包装:散装
 配置:单
 高度:7.11毫米
 长度:24.89毫米
 工作频率:230 MHz
 系列号:SD2941
 类型:射频功率MOSFET
 宽度:12.83毫米
 正向跨导-最小值:6 S
 频道模式:增强
 Pd-耗散功率:389 W
 产品类型:RF MOSFET晶体管
 工厂包装数量:25
 子类别:MOSFET
 Vgs-栅源电压:20 V


特征
 金金属化
 优良的热稳定性
 通用源配置
 POUT =最小175 W 增益为15 dB @ 175
兆赫,50 V
 POUT = 135 W(典型值) 在14 MHz时具有123 dB的增益,
28 V
 低RDS(on)
 热增强包装,降低包装成本
 结温
 符合2002/95 / EC1欧洲标准
指示


 

 

价格(USD) 数量(PCS) 航运(USD) 总计(美元) 邮寄方式 付款
79 1 0 79 航空信

 

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