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FMUSER MRFE6VP5150N射频功率LDMOS晶体管高强度N沟道增强型模式横向MOSFET晶体管
FMUSER MRFE6VP5150N射频功率LDMOS晶体管高强度N通道增强模式横向MOSFET晶体管描述这些高强度器件设计用于高VSWR工业（包括激光和等离子体激励器），广播（模拟和数字），航空和无线电/陆地移动应用程序。 它们是无与伦比的输入和输出设计，可实现1.8至600 MHz的宽频率范围利用率。 典型性能：VDD = 50 Vdc参数值●频率（最小）（MHz）：1.8●频率（最大）（MHz）：600●电源电压（典型值）（V）：50●P1dB（典型值）（dBm）：51.8 ●P1dB（典型值）（W）：150●输出功率（典型值）（W）@测试信号的互调电平：CW @
Detail
| 价格（USD） | 数量（PCS） | 航运（USD） | 总计（美元） | 邮寄方式 | 付款 |
| 126 | 1 | 0 | 126 | DHL |
FMUSER MRFE6VP5150N射频功率LDMOS晶体管高强度N沟道增强模式横向MOSFET晶体管
产品描述
这些高耐用性设备设计用于高VSWR 工业（包括激光和等离子体激励器），广播（模拟和数字）， 航空航天和无线电/陆地移动应用。 它们是无与伦比的输入， 输出设计可在1.8至 600 MHz。
典型性能：VDD = 50 Vdc
产品型号 值
●频率（最小值）（MHz）： 1.8
● 频率（最大）（MHz）： 600
● 电源电压（典型值）（V）： 50
● P1dB（典型值）（dBm）： 51.8
● P1dB（典型值）（W）： 150
● 测试信号的互调电平下的输出功率（典型值）（W）： 连续波@ 150.0
● 测试信号： CW
● 功率增益（典型值）（dB）@ f（MHz）： 230 26.3 @
● 效率（典型值）（％）： 72
● 热阻（规格）（℃/ W）： 0.21
● 匹配： 无与伦比
● 类别： AB
● 模具技术： LDMOS
在卷带中。 R1后缀= 500单位，44毫米胶带宽度，13英寸卷盘
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