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FMUSER 1pcs原装全新MRF6VP3450H横向N通道宽带RF功率MOSFET晶体管
FMUSER 1pcs全新原装MRF6VP3450H横向N通道宽带RF功率MOSFET晶体管描述：设计用于频率范围为470至860 MHz的宽带商业和工业应用。 这些设备的高增益和宽带性能使其非常适合50伏模拟或数字电视发射机设备中的大型信号，公共源放大器应用。 -典型的DVB--T OFDM性能：--VDD = 50伏，IDQ = 1400 mA，--Pout =平均90瓦，f = 860 MHz，8K模式，64 QAM-功率增益：22.5 dB-漏极效率：28％--ACPR @ 4 MHz偏移量-62 dBc @ 4 kHz带宽-典型的宽带二音调性能：--VDD = 50伏，IDQ = 1400 mA，--Po
Detail
| 价格（USD） | 数量（PCS） | 航运（USD） | 总计（美元） | 邮寄方式 | 付款 |
| 215 | 1 | 0 | 215 | DHL |
FMUSER 1pcs原装全新MRF6VP3450H横向N通道宽带RF功率MOSFET晶体管
专为470至860 MHz频率的宽带商业和工业应用而设计。 高增益和 这些设备的宽带性能使其非常适合50伏的大型信号，共源放大器应用 模拟或数字电视发射机设备。
--典型的DVB--T OFDM性能：
--VDD = 50伏，IDQ = 1400 mA，
--Pout = 90瓦特平均，f = 860 MHz，8K模式，64 QAM
--功率增益：22.5 dB
--排水效率：28％
--ACPR @ 4 MHz偏移-62 dBc @ 4 kHz带宽
--典型的宽带二音性能：
--VDD = 50伏，IDQ = 1400 mA，
--Pout = 450瓦PEP，f = 470-860 MHz
--功率增益：22 dB
--排水效率：44％
--IM3：-29分贝
--能够处理10：1 VSWR，所有相角，@ 50 Vdc，860 MHz：450 W CW
--平均90瓦（DVB--T OFDM信号，10 dB PAR，7.61 MHz信道带宽）
--用串联等效大信号阻抗参数表征
--内部输入匹配，易于使用
--合格最多50 VDD操作
--集成ESD保护
--专为推拉操作而设计
--更大的栅极-源极负电压范围，改善了C类操作
--符合RoHS--在磁带和卷轴。 R6后缀=每150 mm 56单位，13英寸卷轴。
--R5后缀=每50 mm 56单位，13英寸卷轴。
包裹包括：
1 * MRF6VP3450H晶体管
| 价格（USD） | 数量（PCS） | 航运（USD） | 总计（美元） | 邮寄方式 | 付款 |
| 215 | 1 | 0 | 215 | DHL |
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