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FUMSER原装MRF154射频金属氧化物半导体场效应晶体管
FUMSER原装MRF154射频金属氧化物半导体场效应晶体管描述：-产品类别：RF金属氧化物半导体场效应（RF MOSFET）晶体管-晶体管极性：N沟道-技术：Si --Id连续漏极电流： 60 A --Vds-漏源击穿电压：125 V-增益：17 dB-输出功率：600 W-最低工作温度：-65 C-最高工作温度：+ 150 C-包装/盒：368-3-配置：单-工作频率：80 MHz-类型：RF功率MOSFET-商标：MACOM --Pd功耗：1.35 kW-产品类型：RF MOSFET晶体管-工厂包装数量：1-子类别：MOSFET --Vgs栅极-源极电压：40 V --Vgs闸极
Detail
| 价格（USD） | 数量（PCS） | 航运（USD） | 总计（美元） | 邮寄方式 | 付款 |
| 159 | 1 | 0 | 159 | DHL |
FUMSER原装MRF154射频金属氧化物半导体场效应晶体管
产品描述:
-晶体管极性：N沟道
-技术：硅
--Id连续漏极电流：60 A
--Vds-漏源击穿电压：125 V
-增益：17 dB
-输出功率：600瓦
-最低工作温度：-65 C
-最高工作温度：+ 150 C
-包装/盒：368-3
-配置：单
-工作频率：80 MHz
-类型：射频功率MOSFET
-商标：MACOM
--Pd功耗：1.35 kW
-产品类型：RF MOSFET晶体管
-工厂包装数量：1
-子类别：MOSFET
--Vgs栅极-源极电压：40 V
--Vgs栅极-源极阈值电压：3 V
-单位重量：122.795克
特色：
--N通道增强模式MOSFET
-额定50伏特，30 MHz特性-输出功率= 600瓦，功率增益= 17 dB（典型值），效率= 45％（典型值）
-最低频率：2 MHz
-最大频率：100 MHz
-输出：600 W
-增益：17 dB
-效率：45％
应用：
-航空航天与国防
- 主义
包裹包括：
1 * MRF154晶体管
| 价格（USD） | 数量（PCS） | 航运（USD） | 总计（美元） | 邮寄方式 | 付款 |
| 159 | 1 | 0 | 159 | DHL |
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